关于反激电源中RCD电路的一些随笔_交错反激电路rcd-程序员宅基地

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在反激电源中,为了避免MOS管关断后再初级线圈产生的尖峰脉冲,一般都需要再初级线圈上并联一个RCD电路来吸收这个尖峰脉冲。在

那么这个电路可以做到这点呢?

第一点,如果需要消除这个尖峰脉冲的话,可以直接并联一个电容,但是并联一个电容会使得和初级线圈构成LC并联谐振,虽然会消除尖峰,但是波形变成了以L和C有关的正弦波。

第二点,为了不让LC构成并联回路,即电容在电感放电之后不会再给电容充电,在电容和电感之间串联一个二极管。

第三点,虽然先在不会出现正弦波,但是电容的放电回路也被阻断,随着一次次MOS管闭合和断开,电容的电压会不断升高,最后依旧会产生一个极高的电压,因此最后的电阻R就被并联在电容上,已构成电容的放电回路。

那么RCD的值该怎么去选择?

这里需要补充一点,在断开MOS管后,Uds两端电压主要由3部分构成,输入电压Uin,反射电压Ur(就是断开后由于磁通量变小因此磁场变化引起电场变化产生的副级线圈电压,变压器的初级线圈也会产生感应的N倍大小的电压)以及漏感和MOS管寄生电容产生的谐振电压Ulk.

根据我查到的资料,有很复杂的计算,也有比较简单的计划,考虑实际应用还是得不停的调试电路,就简单记录一下简单的计算方法。

第一点,电容C的选择,根据能量守恒,流过漏感的能量和电容充电后的能量是一致的(初级线圈的能量一部分被漏感消耗,一部分被次级线圈消耗)

\frac{1}{2}L\star I^{2} = \frac{1}{2}C\star Ulc^{2}

根据电感电流和电容压差计算得到电容大小。

第二点,二极管的选择,主要是耐压值,耐压超过Uin + Ur + Ulk之和即可。

第三点,电阻R的选择,根据时间常数t(那个字符不知道怎么打,555),在两个电感放电周期内能将电容电量放完,因为充电时电容两端压差时Ur+Ulc(我是这么理解的,有错帮我纠正,感谢感谢),只需要电容电压放到略小于Ur即可,放电太快会导致二次充电,使得原本来漏感的能量变成来自初级线圈提供给次级线圈的能量给电容充电,倒是耦合效率不高。

以上就是对RCD的电路的理解,更专业的也更复杂,先简单理解,随着对硬件的深入了解自然会有更深刻的理解!

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